特許

J-GLOBAL ID：200903098209682384

薄膜抵抗体を有する半導体装置

発明者： 山寺 秀哉 ,  坂田 二郎 ,  多賀 康訓 ,  酒井 峰一 ,  杉戸 泰成 ,  鈴木 康利
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  日本電装株式会社
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320423
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181279
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】表面保護膜で被覆された薄膜抵抗体を有する半導体装置において、表面保護膜がトリミングまたは通電加熱処理時の熱的損傷が低減できる薄膜とする。【構成】基板1と、基板上に直接または絶縁膜2を介して形成されたレーザ照射または通電加熱によりトリミングできる薄膜抵抗体3と、この薄膜抵抗体上に直接または絶縁膜を介して形成された表面保護膜6を備える半導体基板において、表面保護膜6は少なくともアルミニウム5と窒素で構成されている半導体装置この半導体装置は熱ストレスによる表面保護膜の損傷が少なく、信頼性、耐久性が向上する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に直接または絶縁膜を介して形成されたレーザ照射または通電加熱によりトリミングできる薄膜抵抗体と、この薄膜抵抗体上に直接または絶縁膜を介して形成された表面保護膜を備える半導体基板において、前記表面保護膜は少なくともアルミニウムと窒素で構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01C 7/00 ,  H01L 27/01 311

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-160242
  
• 特開昭61-140139
  
• 特開昭62-104039