特許

J-GLOBAL ID：200903098216342645

メモリ抵抗特性を有するPCMO薄膜の形成方法及びPCMOデバイス

発明者： ウェイウェイ・ザン ,  ティンカイ・リー ,  シェン・テン・スー ,  フェニャン・ツァン
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-123111
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340786
出願日： 2005年04月21日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 ユニポーラまたはバイポーラ電圧パルスに応じた可逆抵抗スイッチ特性を有するPCMOデバイス、及び、PCMO薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 メモリ抵抗特性に関連した結晶状態を有するPCMO(Pr0.3Ca0.7MnO3)薄膜の形成方法であって、第1結晶状態を有するPCMO薄膜を形成する工程と、第1結晶状態に応じたパルス極性を利用してPCMO薄膜の抵抗状態を変化させる工程とを有する。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

メモリ抵抗特性に関連した結晶状態を有するPCMO(Pr0.3Ca0.7MnO3)薄膜の形成方法であって、 第1結晶状態を有する前記PCMO薄膜を形成する工程と、 前記第1結晶状態に応じたパルス極性を利用して前記PCMO薄膜の抵抗状態を変化させる工程と、を有することを特徴とするPCMO薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/02

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/02

Fターム (3件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,673,691号明細書