特許

J-GLOBAL ID：200903098217586807

固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 阿部 秀司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-102412
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291858
出願日： 2000年04月04日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 感度の向上と画素の縮小化を共に実現することができる固体撮像素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1導電型半導体領域21が半導体基体2の内部のオーバーフローバリア領域3より上方に少なくとも半導体基体2内を含んで形成され、半導体基体2上のエピタキシャル層4内の受光センサ部5の第1導電型半導体領域21に対応する位置に電荷蓄積領域6が形成されて成る固体撮像素子1を構成する。また、半導体基体2の内部にオーバーフローバリア領域3を、表面に第1導電型半導体領域21をそれぞれ形成し、半導体基体2上にエピタキシャル層3を形成し、エピタキシャル層3の表面側の第1導電型半導体領域21に対応する位置に電荷蓄積領域6を形成して固体撮像素子1を製造する。

請求項（抜粋）：

半導体基体の内部にオーバーフローバリア領域が形成され、上記半導体基体上にエピタキシャル層が形成され、上記オーバーフローバリア領域より上方に、電荷収集領域を拡げるための第1導電型半導体領域が、少なくとも上記半導体基体内を含んで形成され、上記エピタキシャル層の上記第1導電型半導体領域に対応する位置に、受光センサ部の電荷蓄積領域が形成されて成ることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B

Fターム (20件)：

4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA03 ,  4M118DA32 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB11 ,  5C024AX01 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX07 ,  5C024GY01 ,  5C024GZ04