特許

J-GLOBAL ID：200903098217666754

高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜の形成方法

発明者： 小林 伸好 ,  中村 吉孝 ,  五嶋 秀和 ,  本間 喜夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180745
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029259
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】金属ハロゲン化ガスとシラン系ガスとのCVD反応を利用して、低温(<200°C)で高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜を形成する。【構成】金属ハロゲン化物(WF<SB>6</SB>等)とシラン系ガス(SiH<SB>4</SB>等)を所定の流量比で反応させ低温(=150°C)で膜形成を行ない、TiW膜7上にW膜8を形成する。

請求項（抜粋）：

シラン系ガスの内少なくとも一つと金属ハロゲン化物とを用いた原料ガスとを、原料ガスの流量比=シラン系ガス流量/金属ハロゲン化物ガス流量を1以上10以下で導入し、かつ形成温度を0°C以上200°C以下で、半導体基板上に金属もしくは金属シリサイド薄膜を形成することを特徴とする高融点金属もしくは高融点金属シリサイド膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90