特許
J-GLOBAL ID：200903098221153907
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260593
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115249
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 高光出力動作が可能な窓構造を有する半導体レーザを再現性よく作製する。【構成】 量子井戸構造の活性層3を有する半導体レーザの光出射端面上に半導体レーザを構成する結晶より大きな熱膨張係数を有する絶縁膜13を設けた。【効果】 レーザ駆動による素子の発熱時に、絶縁膜によってレーザ結晶の端面近傍にひっぱり応力がかかるので、活性層のうち該応力がかかった領域のバンドギャップを実効的に大きくすることができ、窓構造を実現できる。
請求項（抜粋）：
量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにおいて、レーザ光出射端面上に形成された、半導体レーザを構成する結晶より熱膨張係数が大きい絶縁膜を備えたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
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