特許

J-GLOBAL ID：200903098221717495

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 大岸 毅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-296929
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153803
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 ウェル領域内に高耐圧トランジスタを形成する場合等において、工程数少なく簡便な工程により、拡散層の接合耐圧の改善を達成できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板21内にウェル32を形成し、このウェル32に高耐圧を要する部分37とそうでない部分36を有し、領域36は高濃度である領域28で形成されたウェル中に形成し、領域37は低濃度である領域27で形成されたウェル中に形成する。?A領域37を形成する際、ウェル形成用の不純物注入マスクに不連続な開口部分25を設け、このマスクによって注入した不純物分布を熱処理によって再分布させることによって、比較的低濃度となる領域27を得、これにより低濃度領域と高濃度領域を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板内にウェルを形成し、ウェルに高耐圧を要する部分と高耐圧は要さない部分を形成した半導体装置において、前記高耐圧は要さない部分は比較的高濃度である領域で形成されたウェル中に形成し、高耐圧を要する部分は比較的低濃度である領域で形成されたウェル中に形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 A ,  H01L 27/06 Z