特許

J-GLOBAL ID：200903098222183010

半導体装置

発明者： 内貴 唯八
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-064623
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249682
出願日： 1994年03月08日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 異なる深さの複数の導電層に対するコンタクト孔を少ない工程で開孔し、且つ相対的に浅い導電層におけるコンタクトの信頼性も高める。【構成】 層間絶縁膜11中の互いに異なる深さに導電層12、13が設けられており、浅い方の導電層13上にのみこの導電層13と同じパターンで、層間絶縁膜11よりもエッチング速度の遅い膜21が設けられている。このため、導電層12、13に対するコンタクト孔15、16が同時に開孔されていても、浅い導電層13の過剰なエッチングが防止されており、コンタクト孔16が導電層13を貫通することがない。

請求項（抜粋）：

平面的に互いに異なる位置で且つ絶縁膜中の互いに異なる深さに複数の導電層が設けられており、相対的に深い前記導電層に対して、前記絶縁膜を貫通するコンタクト孔が設けられており、相対的に浅い前記導電層に対して、前記絶縁膜とこの絶縁膜よりもエッチング速度の遅い膜とを貫通するコンタクト孔が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/90 M