特許
J-GLOBAL ID：200903098223059991
密着型2次元ホトセンサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279262
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121715
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】大面積画像読み取りと該読み取り画像の表示が高速で行なえる小型の密着型2次元イメージセンサ及びその製造方法を提供する。【構成】液晶ディスプレイ部の画素とホトセンサ部の画素を一致させ、液晶駆動用トランジスタとホトトランジスタのゲート絶縁膜/チャネル用半導体層の積層構造を少くとも同時に形成する。【効果】使い勝手のよいファクシミリあるいはコンピュータへの画像入力装置を実現できる。
請求項（抜粋）：
第1の電界効果型トランジスタからなるホトトランジスタと電荷蓄積容量と第2の電界効果型トランジスタからなる液晶駆動用トランジスタとからなる画素を基板上に2次元的に配列して形成する工程と、該画素上に液晶層を形成する工程とを少なくとも有する密着型2次元ホトセンサの製造方法において、該ホトトランジスタと該液晶駆動用トランジスタのゲート絶縁膜及びチャネル層をそれぞれ同一工程で作製することを特徴とする液晶表示機能を有する密着型2次元ホトセンサの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, B41J 29/42
, H04N 1/028
