特許
J-GLOBAL ID：200903098226763860
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141264
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326399
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】【課題】 高速動作を可能にした半導体装置とその製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 バイポーラトランジスタ構造を有する半導体装置20である。半導体基体21表層部に形成された外部ベース領域26と、これの下方に形成されたエピタキシャル層22からなるコレクタ領域との間が、ここに埋め込み絶縁層25が設けられたことによって絶縁されている。外部ベース領域26の上部に、金属あるいは金属と半導体との合金からなる低抵抗層35が形成されている。
請求項（抜粋）：
バイポーラトランジスタ構造を有する半導体装置であって、半導体基体表層部に形成された外部ベース領域と、これの下方に形成されたエピタキシャル層からなるコレクタ領域との間が、ここに埋め込み絶縁層が設けられたことによって絶縁されてなり、前記外部ベース領域の上部に、金属層あるいは金属と半導体との合金層が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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