特許

J-GLOBAL ID：200903098242188158

半導体デバイス電極用Al合金薄膜及び半導体デバイス電極用Al合金薄膜形成用のスパッタリングターゲット

発明者： 高木 勝寿 ,  大西 隆
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 明田 莞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201650
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028348
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 大画面型液晶ディスプレイ(以下、LCD )又は高精細型LCD の電極用薄膜に要求される特性であるところの6μΩcm以下という低い電気抵抗率、高いヒロック耐性、高いボイド耐性、及び、アルカリ性溶液に対する高い耐食性を兼ね備えた半導体デバイス電極用Al合金薄膜、及び、かかる半導体デバイス電極用Al合金薄膜の形成用のスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 Y≧0.3 at%、IVa 族金属元素≧0.2 at%、かつ、 0.3CY +3CIVa ≦2(但し、CY :Yの含有量 [at%] 、CIVa :IVa 族金属元素の含有量 [at%] )の条件を満たすAl合金薄膜よりなることを特徴とする半導体デバイス電極用Al合金薄膜、及び、上記条件を満たすAl合金よりなる半導体デバイス電極用Al合金薄膜形成用のスパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

合金成分としてYを0.3 at%以上含有すると共にIVa 族金属元素(Ti,Zr,Hf)のうちの1種又は2種以上を合計で0.2 at%以上含有し、かつ、このY及びIVa 族金属元素の含有量が下記?@式を満たす含有量であるAl合金薄膜よりなることを特徴とする、耐食性及びヒロック耐性並びにボイド耐性に優れ、かつ電気抵抗率が6μΩcm以下である半導体デバイス電極用Al合金薄膜。0.3CY +3CIVa ≦2 ------ ?@式但し、上記?@式において、CY はYの含有量 [at%] 、CIVa はIVa 族金属元素の含有量 [at%] を示すものである。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/28 301 L ,  C23C 14/14 B ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/88 N

Fターム (22件)：

4K029BA23 ,  4K029BC01 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC08 ,  4K029GA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB39 ,  4M104DD40 ,  4M104GG20 ,  4M104HH03 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH09 ,  5F033PP15 ,  5F033VV00 ,  5F033VV15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F033XX18