記憶セル構造およびこの構造を備えた4値記憶固体磁気メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211737
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031771
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：

【要約】【課題】 1セルに対して4値記憶ができ、記憶されているデータを破壊することなく、読み出しができる記憶セル構造および4値記憶固体磁気メモリを提供する。【解決手段】 4値記憶固体磁気メモリは、第1強磁性層11の上部に非磁性層12を介在させ、非磁性層12の上部に第1強磁性層11に交差する第2強磁性層13を配置し、第1強磁性層11および第2強磁性層13に生じる磁化ベクトルの向きが互いに直交するように形成して1つの記憶セルを構成し、第1強磁性層11および第2強磁性層13に生じる磁化ベクトルの向きの組合せにより、第1強磁性層11に1ビット、第2強磁性層13に1ビットの計2ビット4状態を互いに独立して記憶させた。

請求項（抜粋）：

磁化作用によって向きが変化する磁化ベクトルの向きとデータの有無とを対応させた磁気メモリの記憶セル構造であって、前記磁化ベクトルを帯びると共に、前記磁化ベクトルが交差するように対向させ、当該磁化ベクトルの向きの組み合わせにより4つのデータを記憶する2つの強磁性層である第1強磁性層及び第2強磁性層と、これら第1強磁性層及び第2強磁性層に介在させる非磁性層と、を備えたことを特徴とする記憶セル構造。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (7件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA29 , 5F083JA37 , 5F083JA56 , 5F083PR22 , 5F083ZA21

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