特許

J-GLOBAL ID：200903098244753618

半導体装置及びその製造方法

発明者： 五島 滋雄 ,  紀川 健
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314357
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152863
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】絶縁膜形成時における基板ダメージの問題、基板に対する応力の問題、cat-CVD法における窒化シリコン以外の絶縁膜形成が困難という問題を解決する。【解決手段】III-V族化合物半導体基板に半導体素子を形成した半導体装置において、前記半導体基板に形成される絶縁膜として窒素及びリンを主成分とする絶縁膜を有する。また、III-V族化合物半導体基板に形成した半導体素子を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体素子の絶縁膜として窒素及びリンを主成分とする絶縁膜を、窒素を含むガス及びリンを含むガスを原料として気相反応により形成する。この窒化リン膜という全く新奇な絶縁膜を用いることにより、従来の絶縁膜に比して、低応力・低界面準位密度の絶縁膜の形成を可能とし、化合物半導体に適した高信頼性プロセスを構築することが可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体基板に半導体素子を形成した半導体装置において、前記半導体基板に形成される絶縁膜として窒素及びリンを主成分とする絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/31 ,  C23C16/34 ,  H01L21/314

FI (3件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/34 ,  H01L21/314 A

Fターム (35件)：

4K030AA08 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA46 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AF04 ,  5F045CB04 ,  5F045DC51 ,  5F045DC55 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ14 ,  5F045EK05 ,  5F045HA24 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD18 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF30 ,  5F058BF33 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ03