半導体装置及び絶縁膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287516
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111046
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】誘電率の大きく、リーク電流の小さいシリコン酸窒化膜を実現する。【解決手段】シリコン表面を一酸化窒素で窒化する際に、同時に一酸化炭素ガスなどの還元性ガスを添加して成膜する。これにより膜中の酸素原子数に対する窒素原子数が20%以上の酸窒化膜を実現する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成され、少なくともシリコン、絶縁膜、電極よりなるMIS構造を有する半導体装置であって、前記MIS構造の絶縁膜がシリコン酸窒化膜を含み、前記シリコン酸窒化膜中の窒素原子の酸素原子に対する原子数比が20%以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/318 C , H01L 29/78 301 G

Fターム (18件)：

5F040DA00 , 5F040DC01 , 5F040EC04 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED06 , 5F040FC00 , 5F058BA20 , 5F058BC11 , 5F058BF03 , 5F058BF04 , 5F058BF30 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF64 , 5F058BF80 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-231211 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
N2Oガスを用いた薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-275613 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
半導体装置の絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-149500 出願人：川崎製鉄株式会社

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