特許

J-GLOBAL ID：200903098250671666

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者： 中川 敦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288525
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140416
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 ベース・コレクタ容量の低減による最大発振周波数fmaxが向上され、イオン注入による素子間分離とコレクタ電極の基板表面からの取り出しによりトランジスタ構造の平坦化が図れるInP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【構成】 n型InPからなる第1のコレクタ層3a、n型(In0.53Ga0.47As)0.5(In0.52Al0.48As)0.5からなる第2のコレクタ層3b、p型(In0.53Ga0.47As)0.5(In0.52Al0.48As)0.5からなるベース層4、エミッタがn型InP層5により構成されており、第2のコレクタ層を選択的にエッチング除去して絶縁膜を形成し、また絶縁膜をマスクにしてn型InGaAs層を再成長してコレクタ電極用コンタクト層を形成する。

請求項（抜粋）：

InP基板上に少なくともn型InPからなる第1のコレクタ層、InP基板と格子整合したn型Inx(GayAl1-y)1-xAsからなる第2のコレクタ層、p型不純物が導入されたInP基板と格子整合したベース層、n型不純物が導入されたInP基板と格子整合したエミッタ層が順次形成されたエピタキシャル層構造で構成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205