特許
J-GLOBAL ID：200903098252097096
SiC単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258200
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101495
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：
【要約】【課題】 欠陥密度の少ない、高品質なSiCバルク単結晶を効率よく作製し、これから高品質なSiC基板を製造し得る。【解決手段】 グラファイト製るつぼ12の底部にSiC原料粉末14を入れ、内面にSiC種結晶15が配置された蓋13によりるつぼ12の上部を閉止し、るつぼ12の底部をSiCの昇華温度(2200°C)以上2400°C以下の温度で加熱し、蓋13より下方であってるつぼ12の底部より上方のるつぼ中間部12bを2400°C以上2800°C以下の温度で加熱し、種結晶15の温度をSiCの昇華温度(2200°C)以下に維持することにより、種結晶15にSiC単結晶16を育成する。
請求項（抜粋）：
グラファイト製るつぼ(12)の底部にSiC原料粉末(14)を入れ、内面にSiC種結晶(15)が配置された蓋(13)により前記るつぼ(12)の上部を閉止し、前記るつぼ(12)をSiCの昇華温度以上融点未満の温度で加熱し前記種結晶(15)の温度をSiCの昇華温度以下に維持して前記種結晶(15)にSiC単結晶(16)を育成するSiC単結晶の製造方法において、前記るつぼ(12)の底部をSiCの昇華温度以上2400°C以下の温度で加熱し、前記蓋(13)より下方であって前記るつぼ(12)の底部より上方のるつぼ中間部(12b)を2400°C以上2800°C以下の温度で加熱することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C01B 31/36
, C30B 23/06
C30B 29/36 A
, C01B 31/36
, C30B 23/06
