特許
J-GLOBAL ID：200903098257445912
電子ビーム露光方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233954
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094378
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、下地の材質が均一でない場合でも、高精度にパターンを形成することができる電子ビーム露光方法を提供することである。【構成】 予め作成されたパターンデータに基づいて、電子ビームを試料表面に形成したレジスト膜に直接描画する電子ビーム露光方法において、試料表面の下に形成された層の質量数または反射率を考慮し、補償対象パターンデータを得る工程と、露光パターンを指定する露光パターンデータと前記補償対象パターンデータとの論理積を算出し、補償露光パターンデータを得る工程と、前記露光パターンデータから前記補償露光パターンデータを除去し、非補償露光パターンデータを得る工程と、前記補償露光パターンデータ及び前記非補償露光パターンデータにより指定されるパターン毎に、適正な近接効果補正量を求める近接効果補正量算出工程と、前記近接効果補正量に基づいて電子ビーム露光を行う工程とを含む。
請求項（抜粋）：
予め作成されたパターンデータに基づいて、電子ビームを試料表面に形成したレジスト膜に直接描画する電子ビーム露光方法において、試料表面の下に形成された層の質量数または反射率を考慮し、補償対象パターンデータ(w)を得る工程と、露光パターンを指定する露光パターンデータ(g)と前記補償対象パターンデータ(w)との論理積を算出し、補償露光パターンデータ(A、B、C)を得る工程と、前記露光パターンデータ(g)から前記補償露光パターンデータ(A、B、C)を除去し、非補償露光パターンデータ(D、E、F)を得る工程と、前記補償露光パターンデータ(A、B、C)及び前記非補償露光パターンデータ(D、E、F)により指定されるパターン毎に、適正な近接効果補正量を求める近接効果補正量算出工程と、前記近接効果補正量に基づいて電子ビーム露光を行う工程とを含む電子ビーム露光方法。
引用特許：
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