特許
J-GLOBAL ID：200903098259855891
非晶質半導体太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003777
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200139
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】エネルギ変換効率を向上させることが課題である。【解決手段】ガラス基板(11)上に透明導電膜(12)、p層(13),i層(14),n層(15)を有する非晶質半導体層(16)、背面電極(19)及び保護膜(20)を順次形成してなる非晶質半導体太陽電池において、前記非晶質半導体層(16)のp層(13)を3族元素をドーピングした非晶質ドーピング層(17)と微結晶成長層(18)の積層構造としたことを特徴とする非晶質半導体太陽電池。
請求項（抜粋）：
基板上に透明導電膜、少なくともp層を有する非晶質半導体層、背面電極及び保護膜を順次形成してなる非晶質半導体太陽電池において、前記非晶質半導体層のp層を3族元素をドーピングした非晶質層と微結晶成長層の積層構造としたことを特徴とする非晶質半導体太陽電池。
引用特許：
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