特許
J-GLOBAL ID:200903098264630741

膜電極接合体及び膜電極接合体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-106558
公開番号(公開出願番号):特開2006-286476
出願日: 2005年04月01日
公開日(公表日): 2006年10月19日
要約:
【課題】 反応ガスと触媒層とを有効に接触させると共に、触媒層とガス拡散層との密着性を高めてそれらの界面の電気抵抗を下げ、また、触媒の腐食を抑制することのできる膜電極接合体の製造方法を提供する。【解決手段】 固体高分子電解質膜18の表面に電解質のみを溶媒とした溶液を塗布する工程と、塗布された溶液の塗布面に凹凸形状(凸部27A)を形成し乾燥して下地層27を形成する工程と、下地層27の上に触媒を塗布乾燥させて触媒層21を形成する工程と、触媒層21の上にガス拡散層を形成する工程とを備える。触媒層21の塗布面に凹凸を形成することで、その上に積層されるガス拡散層のカーボン繊維に、当該触媒層21の凹凸部を食い込ませてそれらを密着させ、当該触媒層21とガス拡散層の界面での電気抵抗を下げ、電気的導電性の向上を図る。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
高分子電解質膜の両面に触媒層とガス拡散層を積層してなる膜電極接合体において、 前記高分子電解質膜と前記触媒層の界面に、凹凸形状とした下地層を設けた ことを特徴とする膜電極接合体。
IPC (2件):
H01M 8/02 ,  H01M 8/10
FI (2件):
H01M8/02 E ,  H01M8/10
Fターム (6件):
5H026AA06 ,  5H026BB03 ,  5H026BB04 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H026HH05
引用特許:
出願人引用 (1件)

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