特許
J-GLOBAL ID：200903098265958538
光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-013365
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200147
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、光閉じ込め効果により、光電変換効率を向上させつつ、製造工程における歩留まり、耐候性および耐久性等の信頼性を向上させた光起電力素子を提供する。【解決手段】 本発明の光起電力素子は、基板上に多結晶質薄膜と非単結晶半導体を有する光起電力素子において、前記多結晶質薄膜は前記多結晶質薄膜の個々の結晶粒の表面の平坦性に差があり、前記多結晶質薄膜の表面に、凹凸の形成された表面を有する多結晶粒と平坦な表面を有する多結晶粒が混在することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に多結晶質薄膜と非単結晶半導体を有する光起電力素子において、前記多結晶質薄膜は前記多結晶質薄膜の個々の結晶粒の表面の平坦性に差があり、前記多結晶質薄膜の表面に、凹凸の形成された表面を有する多結晶粒と平坦な表面を有する多結晶粒が混在することを特徴とする光起電力素子。
引用特許：
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