特許
J-GLOBAL ID:200903098275587147
CMP研磨剤及び基板の研磨方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-057117
公開番号(公開出願番号):特開2000-256656
出願日: 1999年03月04日
公開日(公表日): 2000年09月19日
要約:
【要約】【課題】廃液処理が容易で、酸化珪素膜等の被研磨面を、傷なく、高速に研磨することが可能で、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比を10以上にするCMP研磨剤。及びこれらCMP研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有する添加剤、及び水からなり、生分解性を有する添加剤が活性汚泥により微生物処理が可能であるCMP研磨剤。酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリー並びに生分解性を有する添加剤と水を含む添加液からなることができる。研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、CMP研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する。
請求項(抜粋):
酸化セリウム粒子、分散剤、生分解性を有する添加剤及び水を含むCMP研磨剤。
IPC (3件):
C09K 3/14 550
, H01L 21/304 622
, C01F 17/00
FI (3件):
C09K 3/14 550 D
, H01L 21/304 622 D
, C01F 17/00 A
Fターム (11件):
4G076AA02
, 4G076AB09
, 4G076AC04
, 4G076BA39
, 4G076BB08
, 4G076BC08
, 4G076BD01
, 4G076CA15
, 4G076CA26
, 4G076CA28
, 4G076DA30
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