炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-338063
公開番号（公開出願番号）：特開2007-182330
出願日： 2004年11月22日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。【解決手段】表面が表面粗さ2nm以下のホモエピタキシャル成長面で(0001)c面からのオフ角が0.4度以下であることを特徴とするα型(六方晶)炭化ケイ素単結晶ウェハ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面が表面粗さ2nm以下で平坦なホモエピタキシャル成長面で(0001)c面からのオフ角が0.4度以下であることを特徴とするα型(六方晶)炭化ケイ素単結晶ウェハ。

IPC (3件)：

C30B 29/36 , C23C 16/42 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/36 A , C23C16/42 , H01L21/205

Fターム (36件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077EA02 , 4G077EC09 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077EE02 , 4G077HA01 , 4G077HA05 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TC06 , 4G077TC17 , 4G077TK06 , 4G077TK10 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045CA05 , 5F045DA61 , 5F045DA67

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許4912064号

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