特許
J-GLOBAL ID：200903098284863351
シリコンの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 正孝
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002005612
公開番号（公開出願番号）：WO2002-100777
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2002年12月19日
要約：
基材の表面をシリコンの融点未満の温度に加熱しかつ保持しながら、該基材表面にシラン類を接触させてシリコンを析出させる工程および基材表面温度を上昇させて、析出したシリコンの一部または全部を溶融させて基材表面から落下させかつ回収する工程を含むシリコンの製造方法。
請求項（抜粋）：
基材の表面をシリコンの融点未満の温度に加熱しかつ保持しながら、該基材表面にシラン類を接触させてシリコンを析出させる工程および基材表面温度を上昇させて、析出したシリコンの一部または全部を溶融させて基材表面から落下させかつ回収する工程を含むことを特徴とするシリコンの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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