特許
J-GLOBAL ID：200903098288839820
受光素子の製造方法及び火炎センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088266
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286442
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 比較的欠陥密度の低い下地層3ひいては受光部PRを得ることができるとともに、LEO法を採用して下地層3を形成する場合にあっても、問題の発生し難い火炎センサの製造方法を得る。【解決手段】 基板1上に、緩衝層2及び下地層3を介して、半導体型の受光部PRを備えた受光素子PSを製造する場合に、受光部PRを構成する各半導体層5,6を、不純物を含むIny Alx Ga1-x-y N(x>0,y≧0)系の材料から形成するに、緩衝層2をIny Alx Ga1-x-y N(x>0,y≧0)系の材料から形成するとともに、下地層3を、Iny Alx Ga1-x-y N(x≧0,y≧0)系の材料からLEO手法により形成し、緩衝層2及び下地層3を形成した後、下地層表面を平面研磨処理し、その上に、受光部PSを形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、その半導体層とは導電型の異なる第2導電型の半導体層とが厚さ方向に並べて積層されて構成され、光に対する感度を有する受光部を、基板上に緩衝層及び下地層を介して備え、前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層とに亙って通電されるように一対の電極が形成されて成る受光素子の製造方法であって、前記第1導電型の半導体層及び前記第2導電型の半導体層を、不純物を含むIny Alx Ga1-x-y N(x>0,y≧0)系の材料から構成するに、前記緩衝層及び前記下地層を、Iny Alx Ga1-x-y N(x≧0,y≧0)系の材料から形成するとともに、前記緩衝層及び前記下地層を形成した後、前記下地層表面を平面研磨処理し、前記平面研磨処理後の面上に、前記受光部を形成する受光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/10
, H01L 21/304 621
H01L 31/10 A
, H01L 21/304 621
5F049MA02
, 5F049MA04
, 5F049MA15
, 5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA01
, 5F049NA03
, 5F049NB10
, 5F049PA04
, 5F049PA10
, 5F049PA14
, 5F049PA20
, 5F049QA18
, 5F049SE05
, 5F049SE12
, 5F049SS01
, 5F049WA05
