特許
J-GLOBAL ID：200903098289185017
半導体発光素子、半導体受光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009005
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275226
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：
【要約】【課題】 短い波長領域での感度が高く、しかも大きな受光電流が得られる窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている半導体受光素子、及び高い歩留まりで製造できる窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明による半導体受光素子は、基板70と、該基板70上に形成されたPN接合部と、を備えた半導体受光素子であって、該PN接合部は、n型RxGa1-xN(0≦x≦1)73及びp型RyGa1-yN(0≦y≦1)74から形成されており、該Rはアルミニウムまたはホウ素を含んでいる。本発明による半導体発光素子は、シリコン基板60と、該シリコン基板60上に設けられた、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている活性層64と、該活性層64を挟む、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている一対のクラッド層63、65と、を備えている。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、該シリコン基板上に設けられた、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている活性層と、該活性層を挟む、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている一対のクラッド層と、を備えた半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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