特許

J-GLOBAL ID：200903098289686342

半導体装置

発明者： 根本 清志
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021654
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199604
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 面積依存性がなく周波数特性の高いPiN型フォトダイオードと、基板と電気的に分離され回路設計が容易にできるバイポーラトランジスタや、更にはCMOSトランジスタを同一基板上に構成した半導体装置を提供する。【解決手段】 PiN型フォトダイオードと縦型NPNバイポーラトランジスタと横型PNPバイポーラトランジスタと縦型PNPバイポーラトランジスタを同一半導体基板上に構成する半導体装置において、前記半導体基板としてN型基板1を用いて、縦型NPNバイポーラトランジスタと横型PNPバイポーラトランジスタは、前記N型基板1上に1E16cm-3〜1E18cm-3の濃度に形成されたP型埋込み層2の領域に形成し、PiN型フォトダイオードと縦型PNPバイポーラトランジスタは前記N型基板1上に形成する。

請求項（抜粋）：

PiN型フォトダイオードと縦型NPNバイポーラトランジスタと横型PNPバイポーラトランジスタと縦型PNPバイポーラトランジスタを同一半導体基板上に構成する半導体装置において、前記半導体基板としてN型基板を用い、縦型NPNバイポーラトランジスタと横型PNPバイポーラトランジスタは、前記N型基板上に1E16cm-3〜1E18cm-3の濃度に形成されたP型埋込み層領域に形成し、PiN型フォトダイオードと縦型PNPバイポーラトランジスタは前記N型基板上に形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/06 321 A ,  H01L 31/10 A