特許
J-GLOBAL ID：200903098292885348
マイクロ波集積回路およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298137
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125208
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 MMICと同等の量産性と信頼性を有し、半導体素子の放熱性に優れ、MICと同等の誘電損の小さいマイクロ波集積回路を得る。【構成】 誘導体薄膜1の上面にマイクロストリップ伝送線路導体60,61を含む受動回路素子のみを形成した受動回路素子基板70と、半導体基板8にFET等の能動素子を形成した半導体回路基板80を備え、受動回路素子基板を素子搭載面を同じ方向に向けてスルーホール導体5とバンプ6を介して半導体回路基板上に搭載した。【効果】 マイクロ波からミリ波において損失が少なく、高出力,高効率のマイクロ波集積回路が得られる。
請求項（抜粋）：
誘導体薄膜の一方の面に導体薄膜を有し、その他方の面に前記導体薄膜を地導体とするマイクロストリップ伝送線路導体またはコプレーナ伝送線路導体を少なくとも含み受動回路素子のみを形成してなる受動回路素子基板を備え、該受動回路素子基板の所要箇所にはその導体薄膜に開口部が、誘電体基板にスルーホールが形成され、該スルーホールに、該受動回路素子基板の表面の素子の端子または地導体に接続されたスルーホール導体が埋めこまれてなり、半導体基板の一方の面に導体薄膜を有し、その他方の面に少なくともトランジスタ,ダイオード等の能動回路素子を含んで素子を形成してなる半導体回路基板を備え、前記受動回路素子基板は、その素子搭載面を上方に向けて上記半導体基板上に搭載され、上記半導体基板の半導体素子の電極が上記受動回路素子基板の導体薄膜の開口部にてバンプを介して上記受動回路素子基板のスルーホール導体に接続されていることを特徴とするマイクロ波集積回路。
IPC (4件)：
H01P 3/08
, H01L 21/60 311
, H01P 1/30
, H01P 11/00
