特許

J-GLOBAL ID：200903098293590910

リフトオフ方法

発明者： 山口 恒夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-279820
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045156
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：

【課題】表面にレジストを介し除去すべき蒸着金属膜が形成された半導体基板のリフトオフ方法とこれを実現するリフトオフ装置に関するもので、安定したバリのないパターン形成を行うためのリフトオフ方法と装置を提供する。【解決手段】剥離液超音波吐出ノズル2と剥離液シャワー吐出ノズル3と溶剤吐出ノズルを備え、表面に超音波を重畳した剥離液で蒸着金属を物理的に剥離し、温度を上げた剥離液をシャワー状に吐出させ金属残渣物及びレジストを除去、その後、温度を上げた溶剤を吐出しレジスト残渣物を除去し残存する有機被膜の発生を防止する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面にレジストを介し除去すべき蒸着金属膜が形成された半導体装置基板を回転させながら、表面に超音波を重畳した剥離液を吐出する工程と所望の温度に上げた剥離液を吐出する工程、これに引き続き所望の温度に上げた溶剤を吐出する工程と振り切り乾燥を行なう工程を備えることを特徴とするリフトオフ方法。

IPC (2件)：

H01L21/306 ,  H01L21/027

FI (2件)：

H01L21/306 N ,  H01L21/30 570

Fターム (8件)：

2H096AA25 ,  2H096HA28 ,  5F043DD13 ,  5F043DD19 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F046LA18 ,  5F046MA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平1-175236号公報(第1-8頁、第1図)