特許

J-GLOBAL ID：200903098293868218

半導体装置の製造方法

発明者： 平尾 秀司 ,  吉田 岳人 ,  矢野 航作 ,  村上 友康
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037629
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252024
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法のうち、アライメントキーの形成方法に関するものであり、高温アルミスパッタ堆積によるアライメントキーの埋め込みを抑制する。【構成】 コンタクトホール開孔時に形成するアライメントキー領域において第1のBPSG層間膜2、多結晶シリコン膜3、第2のBPSG層間膜4を形成し、コンタクトホール開孔用のレジスト5をマスクに第2のBPSG層間膜4をドライエッチングで除去する。そして、多結晶シリコン膜3を等方性のエッチング条件で第2のBPSG層間膜4よりも横方向に後退するように除去した後、第1のBPSG層間膜2を除去する。【効果】 コンタクトホール開孔時に形成したアライメントキー領域の側壁に凹部を設けることによって、高温アルミニウム堆積前に形成するTi/TiN/Ti膜が不連続となり、アライメントキー内部へのアルミニウムの流れ込みを抑制し、アライメントエラーを防止する。

請求項（抜粋）：

コンタクトホール形成用のアライメントキー領域において、第1および第2の層間絶縁膜に対して充分な選択比を有する膜を第1の層間絶縁膜と第2の層間絶縁膜によって挟むように形成する工程と、コンタクトホール開孔用のレジストを形成する工程と、第2の層間絶縁膜を除去する工程と、前記第1および第2の層間絶縁膜に対して充分な選択比を有する膜を除去する工程と、第1の層間絶縁膜を除去する工程よりなる半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316