ニッケル合金サリサイド工程、それを用いて半導体素子を製造する方法、これにより形成されたニッケル合金シリサイド膜及びそれを用いて製造された半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：志賀正武 , 渡邊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-407902
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019943
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】電気的特性を劣化させることなく、熱処理工程の余裕度を増加させるニッケル合金サリサイド工程、それを用いて半導体素子を製造する方法、これにより形成されたニッケル合金シリサイド膜及びそれを用いて製造された半導体素子を提供する。【解決手段】 Ni合金サリサイド工程は、半導体基板上に少なくとも1種類の添加元素を含有するNi合金膜を形成する段階を含む。この含有量は、0.1 atomic%乃至10 atomic%である。Ni合金膜を有する基板を熱処理してNi合金シリサイド膜を形成する。この膜は、基板の表面上に順に積層された下部及び上部Ni合金シリサイド膜を有する。下部Ni合金シリサイド膜は、第1含有量を有する少なくとも1種類の添加元素を含有し、上部Ni合金シリサイド膜は、第1含有量より大きい第2含有量を有する少なくとも1種類の添加元素を含有し、下部Ni合金シリサイド膜より薄い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコンを含有する半導体基板上に少なくとも1種類の添加元素を含有するニッケル合金膜を形成する段階であって、前記少なくとも1種類の添加元素の含量は、0.1 atomic(原子)%乃至10 atomic%である段階と、前記ニッケル合金膜を有する半導体基板を熱処理して、前記ニッケル合金膜及び前記半導体基板の反応により生成されたニッケル合金シリサイド(silicide)膜を形成する段階とを含むことを特徴とするニッケル合金サリサイド(salicide)工程。

IPC (6件)：

H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L21/28 301S , H01L21/28 301D , H01L29/58 G , H01L21/88 Q , H01L29/78 301P

Fターム (76件)：

4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB21 , 4M104BB38 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104FF13 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F033HH04 , 5F033HH05 , 5F033HH06 , 5F033HH07 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH34 , 5F033JJ07 , 5F033KK01 , 5F033KK25 , 5F033LL09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033WW03 , 5F033XX10 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AA39 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF19 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BF29 , 5F140BF33 , 5F140BF34 , 5F140BG12 , 5F140BG20 , 5F140BG22 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ09 , 5F140BJ11 , 5F140BJ19 , 5F140BJ20 , 5F140BJ21 , 5F140BJ25 , 5F140BK02 , 5F140BK08 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CC03 , 5F140CE05 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第5,989,988号明細書

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