特許

J-GLOBAL ID：200903098300656027

半導体集積回路

発明者： 藤村 康弘 ,  日下田 恵一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169189
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339695
出願日： 1995年06月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルアレイの故障箇所の特定を補助する技術を提供する。【構成】 不良メモリセルを救済するためのプログラム回路17と、上記プログラムに応じて不良メモリセルを救済する救済回路2と、プログラムされた救済のための情報を出力する救済情報出力回路に選択アドレスを割り当てた救済情報出力部7と、上記選択アドレスを外部より供給させる選択アドレス入力端子12と、供給された選択アドレスに対応して救済情報出力信号RBが出力される救済情報出力端子11とを備えた半導体集積回路100は、スキャン動作にて選択アドレスを供給すれば容易にカラムアドレスの救済情報を外部に供給する。

請求項（抜粋）：

複数の正規メモリセルと、不良の正規メモリセルを代替する救済メモリセルとを備えた半導体集積回路において、不良の正規メモリセルを救済メモリセルに置き換えるべき救済アドレスを複数プログラム可能なプログラム回路と、上記プログラムされた救済の有無及び救済アドレスを示す救済情報信号を選択する選択アドレスを入力し、入力された選択アドレスに応ずる上記救済情報信号を外部出力可能な救済情報信号出力回路と、上記選択アドレスの供給端子と、上記救済情報信号の出力端子と、を備えることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G11C 29/00 301 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G11C 29/00 301 B ,  H01L 21/66 W ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 G ,  G01R 31/28 V