特許

J-GLOBAL ID：200903098301449092

プラズマ処理方法および半導体装置の製造方法

発明者： 大島 啓示 ,  齊藤 貴弘 ,  長畑 和典
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-347999
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303422
出願日： 2005年12月01日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】絶縁膜の誘電率の変動や、絶縁膜への水分吸着を抑制することができるプラズマ処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】被処理基板10上の絶縁膜100に、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

被処理基板上の絶縁膜に、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う プラズマ処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L21/90 J ,  H01L21/302 105A ,  H01L21/90 A ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/316 P

Fターム (41件)：

5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004EA23 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ05 ,  5F058BJ06