特許

J-GLOBAL ID：200903098305154682

半導体集積回路およびその製造方法

発明者： 立田 和久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135086
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332201
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の発生ノイズを半導体集積回路内部の周辺セル部においてノイズ発生源の至近箇所で適切に抑制でき、周辺セルの多様な用途にも柔軟に対応できる半導体集積回路およびその製造方法を得る。【解決手段】 半導体集積回路外部と内部論理回路との入出力信号の伝達を行う周辺セル1を備えた半導体集積回路において、前記入出力信号伝達機能を有する論理回路領域部分11と、ノイズ抑制機能を有する容量領域部分10とを、周辺セル1に設けた。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路外部と内部論理回路との入出力信号の伝達を行う周辺セルを備えた半導体集積回路において、前記入出力信号伝達機能を有する論理回路部分と、ノイズ抑制機能を有する容量部分とを、前記周辺セルに設けたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 27/04 B ,  H01L 21/82 P ,  H01L 27/08 321 B

Fターム (27件)：

5F038AC03 ,  5F038AC08 ,  5F038AC14 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CA02 ,  5F038CA03 ,  5F038CA05 ,  5F038CA10 ,  5F038CD02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AC03 ,  5F048BB01 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16 ,  5F048CC05 ,  5F048CC19 ,  5F064CC12 ,  5F064CC23 ,  5F064DD05 ,  5F064DD25 ,  5F064DD33 ,  5F064EE27 ,  5F064EE45 ,  5F064EE52