特許

J-GLOBAL ID：200903098307667571

マイクロ波集積回路素子

発明者： 塚田 浩司 ,  山下 泰久 ,  今野 俊光
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234776
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075314
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 組立の省力化が図れるとともにマッチングを容易にする。【構成】 Si基板9上に、MIMキャパシタンス3,4,5とバイアス用抵抗6とマイクロストリップ8とを形成し、能動素子であるチップ状のGaAsFET1,2をマウントしている。【効果】 小型化が図れる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した抵抗,線路および静電容量と、前記半導体基板上にマウントしたチップ状の能動素子とを備えたマイクロ波集積回路素子。

IPC (7件)：

H01P 5/08 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01P 3/08 ,  H03F 3/60

FI (2件)：

H01L 23/12 B ,  H01L 25/04 Z