特許
J-GLOBAL ID：200903098308614730
レーザ質量分析計
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213159
公開番号（公開出願番号）：特開2001-041931
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】レーザ質量分析計を半導体装置の膜中、膜界面、深溝中の異物分析に適用する。【解決手段】膜中の異物と試料表面とに参照レーザ光を照射しておき、パルスレーザ光で表面膜を除去する毎にレーザスポットを観察して、表面膜の除去深さをモニタすることにより、異物を変質させることなく、異物位置まで表面膜を正確に除去でき、測定を迅速、簡便に行うことができる。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス試料の微小部に付着した異物・汚染物にレーザ光を照射してイオンを発生させ、イオンの質量スペクトルを測定する分析装置において、半導体デバイス試料の膜中、膜界面または溝内部に含まれた異物を分析するに当たり、レーザ光の焦点を試料表面から異物の深さまであらかじめ定めたシークエンスにしたがい、レーザ光のパルス毎に移動していくことを特徴とするレーザ質量分析計。
IPC (4件)：
G01N 27/64
, G01N 27/62
, H01J 49/10
, H01J 49/40
G01N 27/64 B
, G01N 27/62 V
, H01J 49/10
, H01J 49/40
5C038GG07
, 5C038GH06
, 5C038GH10
, 5C038GH17
