特許
J-GLOBAL ID：200903098312024670
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-162752
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013584
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 Au配線を使用し、耐湿性に優れた高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1の上に形成された各素子とボンディングパッド11とを、第1層配線7および第1層配線7の上に形成された層間絶縁膜8の上に形成され、かつコンタクト部9を介して第1層配線7と接続された第2層配線10とで接続した。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に形成された各素子とボンディングパッドとの間が、第1層配線とその第1層配線の上の層間絶縁膜の上に形成された第2層配線とが1個以上のコンタクト部を介して直列に接続された配線によって接続された半導体装置。
引用特許：
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