特許
J-GLOBAL ID：200903098330874606
透明電極薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-296427
公開番号（公開出願番号）：特開平6-122973
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】電気抵抗が低く、パターン精度の良好な微細結晶のITO透明電極薄膜を形成する。【構成】スパッタリング法でITO(酸化インジュウム錫)透明電極薄膜を形成する際に、まず薄膜の一部を2〜3Paのスパッタリング圧力で形成した後、0.5〜1Paのスパッタリング圧力で所定膜厚を形成する。【効果】結晶粒径が小さく、微細なパターン加工が可能な結晶構造を電気抵抗の増加を伴うことなく実現することができるので、従来よりさらに微細なデバイスへのITO透明導電薄膜の適応を可能にするとともに、デバイスの機能向上に効果が大である。
請求項（抜粋）：
スパッタリング法でITO(酸化インジュウム錫)透明電極薄膜を形成する際に、2〜3Paのスパッタリング圧力で形成膜厚の1/4〜1/3または50nmのどちらか小さい方の膜厚を形成した後、0.5〜1Paのスパッタリング圧力で前記所定膜厚を形成する透明電極薄膜形成方法。
IPC (2件)：
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