特許

J-GLOBAL ID：200903098331420269

半球粒型ポリシリコン及び選択的ポリシリコン・エッチバックを用いるDRAMセルの製造方法

発明者： ダリウス エル.クレンショウ ,  リック エル.ワイズ ,  ジェフリー マッキー
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-052074
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008250
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【課題】 DRAMメモリ・セル等において電荷蓄積容量を増加させる。【解決手段】 増加させた電荷蓄積容量を有するコンデンサの蓄積ノード64及びその製造方法。ドープされたポリシリコン領域68が形成される。半球粒型ポリシリコンの薄膜層70はドープされたポリシリコン領域68上に堆積される。ドープされたポリシリコン領域68及び半球粒型ポリシリコンの薄膜層70は、ドープされたポリシリコン領域68を半球粒型ポリシリコンの薄膜層70より速くエッチングするエッチング化合物を用いてエッチングされ、蓄積ノード64の上側表面66の表面領域を増加させる。

請求項（抜粋）：

増加された電荷蓄積容量を有するコンデンサの蓄積ノードを形成する方法であって、ドープされたポリシリコン領域を形成し、前記ドープされたポリシリコン領域上に半球粒型ポリシリコンの薄膜層を堆積し、前記ドープされたポリシリコン領域を前記半球粒型ポリシリコンより速くエッチングするエッチング化合物を用いて、前記ドープされたポリシリコン領域及び前記半球粒型ポリシリコンの薄膜層をエッチングし、前記蓄積ノードの上側表面領域を増加させる工程を含む方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/04 C