特許
J-GLOBAL ID：200903098331834888
絶縁ゲート型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136794
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330466
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 製造歩留の低下やゲート配線抵抗の増大等の弊害を生ずることなくゲート容量を低減し、大面積素子の場合や素子を並列動作させる場合におけるスイッチング時の電流及び電圧波形振動が小さい絶縁ゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る絶縁ゲート型半導体装置は、略平行に形成された複数のトレンチゲート電極を備えた絶縁ゲート型半導体装置において、トレンチゲート電極のうち、チャネル形成に寄与するチャネル形成用トレンチゲート電極以外の間引き用トレンチゲート電極が、ゲート配線部から絶縁され、かつ、エミッタ電極又はエミッタ電位に対し負の電位を発生させる所定の電位発生手段に接続されているものである。
請求項（抜粋）：
略平行に形成された複数のトレンチゲート電極を備えた絶縁ゲート型半導体装置において、前記トレンチゲート電極のうち、チャネル形成に寄与するチャネル形成用トレンチゲート電極以外の間引き用トレンチゲート電極は、ゲート配線部から絶縁され、かつ、エミッタ電極又はエミッタ電位に対し負の電位を発生させる所定の電位発生手段に接続されているものであることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 654 Z
