特許
J-GLOBAL ID：200903098340699403
配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218754
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182964
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】如何なる基板上にも、容易にかつ安全に、また基板に損傷を及ぼすことなく、局所的に絶縁性の薄膜を形成する。【構成】露出した配線を有するシリコンLSI基板の表面にカリックスアレーン系薄膜を塗布により形成した後OCD(東京応化製Si-200 00-SG)を塗布し、シリコン酸化膜形成用原料の膜を形成した後、W膜形成用の原料ガス中で、シリコン酸化膜形成を要する部分にArレーザ1を照射することにより照射部を加熱しW膜を形成すると同時にW膜下のシリコン酸化膜形成用原料を加熱してシリコン酸化膜に改質させた。この後、シリコンLSI基板を低濃度のフッ酸で、次にアルコールで洗浄することにより、照射部以外のシリコン酸化膜形成用原料をエッチング除去し、下地配線と、堆積させたW膜の間に局所的にシリコン酸化膜を形成する。
請求項（抜粋）：
熱分解反応により導電性物質を析出する原料ガスの雰囲気中に設置した基板の表面にレーザ光を集光しながら、前記基板に対して相対的に走査して配線を描画する配線形成方法において、描画前の前記基板にカリックスアレーン薄膜および、加熱により絶縁膜化する絶縁膜を順次塗布する工程と、さらに配線描画後の基板を、洗浄して、描画配線下の絶縁膜のみを残す工程を備えたことを特徴とする配線形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/88 B
, H01L 21/88 R
