半導体基板の洗浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285971
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116810
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】本発明は洗浄槽に導入する洗浄液の比重を考慮して、半導体基板をより清浄にかつより速やかに洗浄可能な半導体基板の洗浄方法を提供する。【解決手段】洗浄槽1は、上部流入・排出口2と下部流入・排出口3を備え、洗浄槽1内には洗浄対象の半導体基板4がセットされる。半導体基板4のセットされた洗浄槽1内に、まず、洗浄能力が高くアルコールより比重の大きいアンモニア過水、塩酸過水、硫酸過水及びフッ酸等の第1の洗浄液5を下部流入・排出口3から流入して半導体基板4を洗浄し、上部流入・排出口2から第1の洗浄液5よりも比重の小さいアルコール等の第2の洗浄液7を流入する。次に、下部流入・排出口3から第2の洗浄液7よりも比重の大きい純水等の第3の洗浄液を洗浄槽1内に流入する。上記第2の洗浄液7及び第3の洗浄液の洗浄槽1への流入に際しては、各液の界面8の下降速度及び上昇速度を、4cm/min以下の速度にして、パーティクル6の半導体基板4への再付着を防止する。

請求項（抜粋）：

洗浄槽内に半導体基板を設置し、洗浄液を流入して、前記半導体基板を洗浄する半導体基板の洗浄方法において、前記半導体基板の設置された前記洗浄槽内に、所定の比重の第1の洗浄液を前記洗浄槽上部から流入して前記半導体基板を洗浄した後、前記第1の洗浄液よりも比重の小さい第2の洗浄液を前記洗浄槽上部から前記洗浄槽内に流入して前記第1の洗浄液を前記洗浄槽下部から排出し、その後、前記第2の洗浄液よりも比重の大きい第3の洗浄液を前記洗浄槽下部から前記洗浄槽内に流入して前記第2の洗浄液を前記洗浄槽上部から排出することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 T , H01L 21/304 341 M

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