特許

J-GLOBAL ID：200903098344336127

III族窒化物半導体素子およびその製造方法

発明者： 中平 篤 ,  田中 秀尚
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-280608
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125957
出願日： 1996年10月23日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】高品質の立方晶III族窒化物半導体薄膜を有する半導体素子構造を可能とすること、および高品質の立方晶III族窒化物半導体膜を有する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】閃亜鉛鉱型の単結晶の(100)面を[01-1]方向に傾斜した基板上に、立方晶系の結晶構造を持つIII族窒化物半導体AlN、GaN、InN単結晶薄膜、またはその混晶AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)のうちから選択される少なくとも1種の窒化物半導体層を堆積したIII族窒化物半導体素子およびその製造方法とする。

請求項（抜粋）：

閃亜鉛鉱型の単結晶の(100)面を[01-1]方向に傾斜した基板上に、立方晶系の結晶構造を持つIII族窒化物半導体AlN、GaN、InN単結晶薄膜、またはその混晶AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)のうちから選択される少なくとも1種の窒化物半導体層を堆積してなることを特徴とするIII族窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18