特許

J-GLOBAL ID：200903098344990005

表面構造制御法およびこれを利用した電子源および平面ディスプレィ

発明者： 永野 久志 ,  三宅 竜也 ,  大嶽 一郎 ,  ペテック ハルヴォエ
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028808
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223455
出願日： 1996年02月16日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 結晶表面を人為的に制御することにより仕事関数を減少させ、電子放出材料において効率的な電子ビーム発生源の特性や触媒反応効率の制御を可能とすること。【解決手段】 基板となる単結晶を傾斜させて切断し、表面の清浄化を行い表面にステップを形成させ、このステップ構造にBa等のアルカリ土類金属やCs等のアルカリ金属の原子3を蒸着等で吸着させアニールや冷却を加える。

請求項（抜粋）：

所定の結晶構造を有する材料の結晶表面から所定角度以上傾斜したステップ構造を形成すること、該ステップ構造のステップサイトに所定の単原子を吸着させることとよりなることを特徴とする表面構造制御法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 ,  C23C 14/14 ,  H01J 1/14 ,  H01J 1/30

FI (4件)：

H01J 9/02 A ,  C23C 14/14 D ,  H01J 1/14 A ,  H01J 1/30 B