特許

J-GLOBAL ID：200903098346733727

半導体装置の洗浄方法

発明者： 大西 照人 ,  井戸田 健 ,  丹羽 正昭 ,  原田 佳尚
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-182205
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079366
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 微小なパーティクルも効果的に除去することができる半導体装置の洗浄方法を提供する。【解決手段】 24wt%の硫酸と、5wt%の過酸化水素と、0.02wt%の弗化水素と、0.075wt%のn-ドデシルベンゼンスルフォン酸と、水とを混合した洗浄液を石英製処理槽1に収容してヒータ2により100°C以下に加熱し、シリコンウェーハ3を10分間浸漬した後、純水によって約7分間水洗する。パーティクルの表面は、弗化水素によってエッチングされ、その表面に、硫酸エステル結合によってn-ドデシルベンゼンスルフォン酸が結合する。そこで、パーティクルは、みかけ上のパーティクル径が大きくなり、ゼータ電位等による斥力が相対的に増大するために、シリコンウェーハ3の表面に付着しにくくなる。したがって、水洗工程によって容易に洗い流される。

請求項（抜粋）：

半導体装置の表面に付着したパーティクル、および洗浄液中のパーティクルに結合してパーティクルのみかけ上の粒径を増大させる成分を含む洗浄液によって、半導体装置を洗浄することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。