特許

J-GLOBAL ID：200903098346788718

結合率が改良されたEEPROMを有する集積回路および形成方法

発明者： オグラ セイキ ,  ニヴォ・ロヴェド
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-133183
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008159
出願日： 1996年05月28日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【課題】 自己位置合せ式で高い集積密度で形成可能であるが、結合率が増加し、その結果、動作マージンが改善された、EEPROMセルを含む集積回路を提供する。【解決手段】 EEPROMセルを含む集積回路において、前記EEPROMセルが、伝導チャネル領域と、前記伝導チャネル領域から絶縁されたフローティング・ゲート50と、前記伝導チャネル領域および前記フローティング・ゲートから絶縁され、前記フローティング・ゲートの上面および側面に重なる制御ゲート電極構造とを含み、前記制御ゲート電極が、制御電極18と、前記制御電極にオーム接続された導電側壁82とを含むことを特徴とする、EEPROMセルを含む集積回路。

請求項（抜粋）：

EEPROMセルを含む集積回路において、前記EEPROMセルが、伝導チャネル領域と、前記伝導チャネル領域から絶縁されたフローティング・ゲートと、前記伝導チャネル領域および前記フローティング・ゲートから絶縁され、前記フローティング・ゲートの上面および側面に重なる制御ゲート電極構造とを含み、前記制御ゲート電極構造が、制御電極と、前記制御電極にオーム接続された導電側壁とを含むことを特徴とする、EEPROMセルを含む集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭60-020583