特許
J-GLOBAL ID:200903098349294902
矩形サセプタの非対称な接地
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安齋 嘉章
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-120346
公開番号(公開出願番号):特開2008-274437
出願日: 2008年05月02日
公開日(公表日): 2008年11月13日
要約:
【課題】化学蒸着用プラズマ処理チャンバ(40)に用いる非対称に接地されたサセプタ(72)であって、サセプタによりサポートされ、接地された大きな矩形パネル(74)が上にあるものを提供する。【解決手段】複数の接地ストラップ(86)が、サセプタ周囲間で、接地された真空チャンバに接続されており、RF電子のための接地パスを短くしている。可撓性のストラップだと、サセプタを垂直に動かすことができる。ストラップは、周囲で非対称な接地にコンダクタンスを与える。ストラップは、均一な間隔であるが、異なる厚さ又は異なる形状を有している、或いは、利用可能な接地点から外して、異なるRFコンダクタンスを与えるようにしてもよい。非対称性を選択して、PECVD堆積フィルムの堆積均一性及びその他品質を改善する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
プラズマ処理チャンバであって、
側壁と後壁とを有する電気的に接地されたチャンバと、
前記チャンバ内の第1の電極と、
少なくとも13MHzの周波数で動作し、前記第1の電極に接続されたRF電源と、
前記チャンバ内で、前記第1の電極に対向して、処理される矩形の基板に対して並置されるよう構成された第2の電極と、
前記第2の電極の周囲を前記チャンバへ接続し、前記周囲の本体に非対称な接地コンダクタンスを生成する複数の電気ストラップとを含むプラズマ処理チャンバ。
IPC (2件):
C23C 16/509
, H01L 21/205
FI (2件):
Fターム (28件):
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA30
, 4K030BA40
, 4K030BB05
, 4K030CA06
, 4K030CA12
, 4K030FA03
, 4K030GA02
, 4K030KA17
, 4K030KA18
, 4K030LA16
, 4K030LA18
, 5F045AA08
, 5F045AB04
, 5F045AB33
, 5F045AC01
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AF07
, 5F045BB01
, 5F045DP03
, 5F045EF05
, 5F045EH05
, 5F045EH07
, 5F045EH14
, 5F045EM10
引用特許: