特許

J-GLOBAL ID：200903098351244904

ポリシリコン薄膜トランジスタ集積回路、イメージセンサ、液晶ディスプレー、半導体メモリー装置およびその製造方法

発明者： 小堀 勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282351
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112490
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置を用いて、ダイナミック駆動をおこなう集積回路の最適な構成およびプロセスを提供する。【構成】 薄膜状絶縁ゲイト型トランジスタを有するダイナミック回路を構成する際に、リーク電流の小さなTFTを形成するために、PMOSを使用し、かつ、その活性層に酸素もしくは窒素を1018cm-3以上ドーピングするとともに、その他の高速動作を要求されるTFTでは、酸素および窒素の濃度はいずれも1018cm-3以下とする。

請求項（抜粋）：

同一基板上に少なくとも2つのPチャネル型ポリシリコン薄膜トランジスタを有する集積回路において、そのうちの少なくとも1つのPチャネル型ポリシリコン薄膜トランジスタはその活性層中の酸素もしくは窒素の濃度がいずれも1018cm-3以下であることと、他のPチャネル型ポリシリコン薄膜トランジスタの活性層中の酸素もしくは窒素のいずれかの濃度が1018cm-3以上であること、を特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタ集積回路。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/146

FI (3件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-246973
  
• 特開平1-162376