特許

J-GLOBAL ID：200903098353639949

発光装置及び発光素子の実装方法

発明者： 幡 俊雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-337455
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164938
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 外部発光効率及び寿命が良好な基板裏面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体が実現することを提供する。【解決手段】 基板(発光透光面)端部とリードフレームのダイパッドを一部固定、または基板周囲端部とリードフレームのダイパッドを固定する実装方法とし、ダイパッドの裏面側から発生光を出射する。さらに、素子構造は、発光層の基板と反対側に窒化物半導体からなる多層反射層を設ける、素子の上面さらに側面に絶縁体多層膜または絶縁体層と金属反射層を設けることにより、発光層から上面と側面に向かう発生光を基板側に反射させる素子構造とし、基板裏面を発光透光面とする外部発光効率及び寿命が良好な窒化ガリウム系化合物半導体が実現することを提供する。

請求項（抜粋）：

発光を透過する基板と、該基板上に窒化物半導体からなる発光層を含む半導体層と、該半導体層上に設けられた正及び負電極とを備えた発光素子であって、前記基板側と発光装置の光出射面とが対向するように、前記基板がリードフレームのダイパッド部に固定され、前記正及び負電極とリードフレームとがワイヤで接続されてなることを特徴とする発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

H01L 33/00 N ,  H01S 3/18 612

Fターム (14件)：

5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA91 ,  5F041CB15 ,  5F041DA01 ,  5F041DA25 ,  5F041DA44 ,  5F041DB01 ,  5F041EE11 ,  5F073CA21 ,  5F073FA04 ,  5F073FA30