特許
J-GLOBAL ID：200903098354388125
電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273895
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125081
出願日： 1992年10月13日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 ショートチャンネル効果を緩和し、ゲート電極を結ぶ配線抵抗を下げる。【構成】 絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極4をソース領域7・ドレイン領域8を除く素子領域全面に形成し、各絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極4をソース領域7・ドレイン領域8間の距離よりも幅の広い導体5により電気的に接続する。このため、導体5はソース・ドレイン領域7,8上に形成されるコンタクト6a,6aと自己整合的に形成できるとともに、導体幅を両コンタクト6a,6a間の距離より広く設定できるため、ゲート電極間を結ぶ配線抵抗を低く設計することができる。
請求項（抜粋）：
ソース・ドレイン領域とゲート電極と導体とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタであって、ソース・ドレイン領域は、半導体基板上に設けられたものであり、ゲート電極は、絶縁膜を介して半導体基板上に積層形成され、ソース・ドレイン領域を除く半導体基板上の素子領域を覆うものであり、導体は、ゲート電極上に直接積層形成され、かつソース・ドレイン領域間の距離よりも広い幅をもち、半導体基板上に形成された複数の絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極相互間を接続するものであることを特徴とする電界効果トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 X
