特許
J-GLOBAL ID：200903098362413562
高出力多孔質熱電変換素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-104322
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210879
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】ガス燃焼式熱電発電装置に適した、高出力で構造的にも十分な強度を有する多孔質のp-n半導体からなる熱電変換素子の提供。【解決手段】(1)低温側の分岐部の端面に多孔質導電体の出力電極が設けられており、その出力電極が金属、または金属と半導体との混合体、もしくは多数の穴をあけた金属箔である多孔質熱電変換素子。(2)両半導体の間にある絶縁体が、無機系機能繊維からなる(1)の熱電変換素子。(3)高温側の接合電極として金属、または金属と半導体との混合体、もしくは多数の穴をあけた金属箔の多孔質導電体を設置した、上記(1)または(2)の熱電変換素子。(4)多孔質半導体がFeSi2半導体で、金属がAu、Co、Cu、Fe、Ni、Pdまたはこれらを主成分とするそれぞれの合金である上記(1)、(2)、または(3)の多孔質熱電変換素子。
請求項（抜粋）：
p型多孔質半導体とn型多孔質半導体とからなる熱電変換素子であって、高温側の接合部に対する低温側の分岐部の端面に、多孔質導電体からなる出力電極が設けられていることを特徴とする多孔質熱電変換素子。
IPC (4件)：
H01L 35/32
, H01L 35/14
, H01L 35/34
, H02N 11/00
H01L 35/32 A
, H01L 35/14
, H01L 35/34
, H02N 11/00 A
