特許

J-GLOBAL ID：200903098366488230

非晶質半導体形成基板並びにこれを用いた多結晶半導体形成基板の製造方法

発明者： 磯村 雅夫 ,  原田 康樹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105003
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291039
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 低融点ガラス基板に熱ダメージを与えない程度の比較的厚い膜厚を有しながら、その膜厚が厚いことによる内部応力の増大がないバッファ層を具備した非晶質半導体形成基板を提供することを目的とする。【構成】 低融点ガラス基板1上に不純物拡散防止用のバッファ層4を介してa-Si膜5を形成して成る非晶質半導体形成基板において、上記バッファ層4がSiO2 から成るテンシルな膜2a〜2cと、同じくSiO2 からなるコンプレッシブな膜3a〜3cを交互に積層した膜から成る。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にバッファ層を介して非晶質半導体膜を形成して成る非晶質半導体形成基板において、上記バッファ層がテンシルな膜とコンプレッシブな膜の積層膜から成ることを特徴とする非晶質半導体形成基板。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/314 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 Y